稀有金屬大量運用於高科技產業，如銦在TFT-LCD產業，鎵在半導體、鋰在鋰電池、鎢在機械製品等，範圍之廣可說是各種產業重要且關鍵的材料。但稀有金屬蘊藏量大多集中在中國、南非、俄羅斯等政治較不安定或獨裁性較高的國家，所以在蘊藏量稀少及高度集中在某些國家的情形下，供應風險也相對的提高。我國兆元產業之一的TFT-LCD產業不斷蓬勃發展，但關鍵材料及零組件卻嚴重倚賴日本或其他國家，從而引發出我國經濟命脈受制於外人的疑慮，因此本文將探討銦金屬在光電產業的應用及重要性。

銦是國內兆元產業TFT-LCD 中供應風險很高的稀有金屬材料
以下將說明TFT-LCD Array 製程中所需要用到的金屬材料及其重要性。
1. TFT-LCD Array 製程中需要稀有金屬銦、鉬、鈦、鉭、鉻
在TFT-LCD Array 製程中， Array 基板製程是反覆使用PEP 製程(Photo Engraving Process)在玻璃基板上形成各種金屬膜、絕緣膜、半導體層及不純物層的製程，製程中所使用到的金屬化合物靶材大多被製成電極，如Pixel Electrode、Gate Electrode及S/D Electrode，所使用的靶材材料有基本金屬鋁、銅等，稀有金屬銦、鉬、鈦、鉭、鉻等。

3. TFT-LCD產業中銦是難以被替代的材料
銦氧化物因其半導體特性及良好的電氣傳導性等特殊性質，而被用於液晶電視、電漿電視等薄型電視，作為液晶面板的透明電極，隨著液晶電視大型化與生產量的攀升，透明電極的需求也急速增加。依銦的最終應用區分，薄膜(Thin Film)佔八成，主要以平面顯示器相關應用的ITO 靶材為主，也有一部份用在半導體應用領域。

依產業的需求特性來說， TFT-LCD 所需要的是同時具有低電阻率及高光穿透率的二個特性，缺一不可。因為ITO 在低電阻率及高光穿透率的特性上發揮得淋漓盡致，所以目前在TFT-LCD 的用途上，替代材料的發展仍無法取代ITO 在TFT-LCD 的用途。但是銦在半導體及其他的用途上，並沒有同時需要低電阻率及高光穿透率二個特性上的需求，僅是在半導體材料特性上的需求，替代材料的取代是較可行的。

https://www.applichem.com.tw/product_metaletchant.html

資料來源: 材料世界網

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