IGBT陶瓷基板在現代電子技術行業已經廣泛應用了，主要是因為IGBT模組優異的電器性能。其中氮化鋁陶瓷基板起著非常重要的作用。

IGBT範本陶瓷電路板在哪裡行業應用廣泛呢？

    IGBT模組是由IGBT（絕緣柵雙極型電晶體晶片）與FWD（續流二極體晶片）通過特定的電路橋接封裝而成的模組化半導體產品；封裝後的IGBT模組直接應用於變頻器、UPS不斷電供應系統等設備上；IGBT模組具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類別模組化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模組；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智慧電網、航空航太、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

氮化鋁陶瓷基板在IGBT陶瓷基板中的重要作用

    氮化鋁陶瓷基板在電力電子模組技術中，主要是作為各種晶片(IGBT晶片、Diode晶片、電阻、SiC晶片等)的承載體，陶瓷基板通過表面覆銅層完成晶片部分連接極或者連接面的連接，功能近似於PCB板。氮化鋁陶瓷基板具有絕緣性能好、散熱性能好、熱阻係數低、膨脹係數匹配、機械性能優、焊接性能佳的顯著特點。

    使用氮化鋁陶瓷基板作為晶片的承載體，可以將晶片與模組散熱底板隔離開，基板中間的AlN陶瓷層可有效提高模組的絕緣能力(陶瓷層絕緣耐壓>2.5KV)。而且氮化鋁陶瓷基板具有良好的導熱性，熱導率可以達到170-260W/mK。IGBT模組在運行過程中，在晶片的表面會產生大量的熱量，這些熱量會通過陶瓷基板傳輸到模組散熱底板上，再通過底板上的導熱矽脂傳導於散熱器上，完成模組的整體散熱流動。同時，氮化鋁陶瓷基板膨脹係數同矽(晶片主要材質為矽)相近(7.1ppm/K)，不會造成對晶片的應力損傷，氮化鋁陶瓷基板抗剝力>20N/mm2,具有優秀的機械性能，耐腐蝕，不易發生形變，可以在較寬溫度範圍內使用。並且焊接性能良好，焊接空洞率小於5%，正是由於氮化鋁陶瓷基板的各種優良性能，所以被廣泛應用於各型IGBT模組中，採用氮化鋁陶瓷基板的IGBT模組具有更好的熱疲勞穩定性和更高的集成度。

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