陶瓷基板分類
2020-04-27陶瓷基板分類
陶瓷基板依其材料可以分成：
氧化鋁基板:
燒成溫度1550～1600℃，主要採用厚膜法及共燒法，混合積體電路用基板、LSI封裝用基板、多層電路基板；
氮化鋁基板：
製造成本是氧化鋁基板的15倍，用於VHF（超高頻）頻帶功率放大器模組、大功率器件及鐳射二極體基板等；
碳化矽基板：
燒成溫度2000℃以上，通常採用真空熱壓法燒成，多用於低電壓電路及VLSI高散熱封裝的基板，例如高速、高集成度邏輯LSI帶散熱機構封裝、在超大型電腦、光通信用鐳射二極體的基板應用等；
氧化鈹基板（BeO）：
其導熱率是Al2O3的十幾倍，適用於大功率電路，而且其介電常數又低，可用於高頻電路。BeO基板基本上採用幹壓法制作。
一般而言，目前應用在LED陶瓷基板的材料是以氧化鋁陶瓷基板為主，而全球氧化鋁陶瓷基板產業屬於寡佔市場，全球主要基板供應商以日本廠商為主，是市佔率在8成以上。
品化科技販售日本&中國品牌的氮化鋁陶瓷基板，並提供基板切割、拋光、清洗、刻字、包裝 、導角等代工服務。
