半導體材料——CMP拋光材料，CMP材料在半導體製造材料中占比7%。

分地區來看，目前大陸半導體材料市場規模在全球的占比為16%，僅次於臺灣和韓國，為全球第三大半導體材料區域。隨著半導體市場不斷放量以及工藝制程不斷複雜，全球CMP拋光材料市場也不斷增長。

化學機械拋光（CMP）技術是晶圓製造的必須流程之一，對高精度、高性能晶圓的製造至關重要。晶圓製造主要包括7大流程，分別是擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、化學機械拋光（CMP）、金屬化。與傳統的純機械或純化學的拋光方法不同，CMP工藝是通過表面化學作用和機械研磨的技術結合來實現晶圓表面微米/納米級不同材料的去除，從而達到晶圓表面的高度（納米級）平坦化效應，使下一步的光刻工藝得以進行。

拋光材料的組成 CMP過程中所採用的設備及消耗品包括：拋光機、拋光液、拋光墊、後 CMP清洗設備、拋光終點檢測及製程控制設備、廢物處理和檢測設備等。其中 CMP材料主要包括拋光液、拋光墊、調節器、CMP清洗以及其他等耗材，而拋光液和拋光墊占CMP材料細分市場的80%以上，是CMP製程的核心材料。

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