濕式蝕刻技術(Wet Etching)

以蝕刻液將晶元表面的氧化層挖出凹槽

線寬『大於0.35微米』以上適用

蝕刻閘極氧化矽

1將氧化層/矽晶圓表面塗佈光阻層

2進行光罩圖形轉移

3將晶圓浸泡化學藥品蝕刻沒有光阻保護的區域

乾式蝕刻技術(Dry Etching)

以電漿離子蝕刻將矽晶圓表面的氧化層挖出凹槽

線寬『小於0.35微米』以下適用

蝕刻閘極氧化矽

1將氧化層/矽晶圓表面塗佈光阻層

2進行光罩圖形轉移

3將晶圓椅電漿離子撞擊蝕刻沒有光阻保護的區域