據瞭解，代工廠和OSAT正在開發更先進的fan-out，有些還在封裝內部垂直堆疊裸片，一方面填補了低成本fan-out和封裝系統之間的中間地帶，另一方面也填補了2.5D和3D晶片之間的中間地帶。

這些新的fan-out比以前的反覆運算產品具有更密集的互連，在某些情況下，它們包括多個佈線層彼此堆疊在一起。台積電數月前已經擁有了這種堆疊技術，包括集成Fan-Out（InFo），現在，一些OSAT也正在採用自己的版本。

直到最近，fan-out幾乎完全被視為低成本的高級封裝選擇，它基本上縮小了原本可以在PCB上找到的元件，並將所有元件都放在一個封裝中。這種方法有許多優點。首先，把所有元件都放進小封裝可以降低材料成本。其次，通過縮短信號傳輸距離，與更大的、完全集成的SoC相比，性能會提升，同時驅動這些信號所需要的電量也會下降。第三，通過將不同節點開發的晶片集成到同一器件中，晶片製造商可以優化佈局規劃，以減少諸如串擾、電源雜訊和電遷移等物理效應。

這並不意味在低端fan-out的工作在減少。事實上，情況正好相反。新的EDA工具和流程正在開發和推出，面板級封裝方法也適用於具有足夠產量的器件。但高端fan-out將這種封裝方式推向了一個新的方向，重點在於減少線路和空間以獲得更高的密度，並顯著提高性能。雖然大多數fan-out都有8μm以上的線路和空間，但是在新器件中可能會低至2μm。（線路和空間是金屬軌跡的寬度和間距。）