先進封裝包括倒裝晶片（FC）、矽通孔（TSV）、嵌入式封裝（ED）、扇入 （Fan-In）/扇出（Fan-Out）型晶圓級封裝、系統級封裝（SiP）等先進技術演進形式，相較于傳統封裝技術，先進封裝技術尺寸更小、封裝密度更高，性能更加，功耗更低。

1、晶圓級封裝（WLP）

晶圓級封裝（WLP）就是在封裝過程中大部分工藝過程都是對晶圓（大圓片） 進行操作，對晶圓級封裝（WLP）的需求不僅受到更小封裝尺寸和高度的要求， 還必須滿足簡化供應鏈和降低總體成本，並提高整體性能的要求。晶圓級封 裝提供了倒裝晶片技術，倒裝晶片中晶片面抄下對著印刷電路板，可以實現 最短的電路徑，保證了更高的速度和更少的寄生效應。另一方面，降低成本是晶圓級封裝的另一個推動力量。

WLP 技術有兩種類型：扇入式（Fan-in）和扇出式（Fan-out）晶圓級封裝。 傳統扇入 WLP 在晶圓未切割時就已經形成在裸片上，最終的封裝器件的二維 平面尺寸與晶片本身尺寸相同。器件完全封裝後可以實現器件的單一化分離， 通常用於低輸入/輸出（I/O）數量（一般小於 400）和較小裸片尺寸的工藝當 中。扇出 WLP 初始用於將獨立的裸片重新組裝或重新配置到晶圓工藝中，並 以此為基礎，通過批量處理、構建和金屬化結構，如傳統的扇入式 WLP 後端 處理，以形成最終封裝。

扇出式 WLP 可根據工藝過程分為晶片先上（Die First）和晶片後上（Die Last）,晶片先上工藝，簡單地說就是先把晶片放上， 再做佈線（RDL），芯 片後上就是先做佈線，測試合格的單元再把晶片放上去， 晶片後上工藝的優點就是可以提高合格晶片的利用率以提高成品率，但工藝相對複雜，eWLB 就是典型的晶片先上的 Fan-out 工藝。

2、MCM封裝

MCM，Multi-Chip Module，多晶片組件，是將多個LSI/VLSI/ASIC裸晶片和其它元器件組裝在同一塊多層互連基板上，然後進行封裝，從而形成高密度和高可靠性的微電子組件。根據所用多層佈線基板的類型不同，MCM可分為疊層多晶片組件

（MCM -L）、陶瓷多晶片組件（MCM -C）、澱積多晶片組件（MCM -D）以及混合多晶片組件（MCM –C/D）等。

3、2.5D/3D封裝

相對于上述MCM晶片在水準方向排布二維封裝形式，晶片在垂直方向上的堆疊則演化出2.5D/3D封裝。如下圖所示，若晶片在一片Passive Interposer上水準排布，即為2.5D封裝；若至少兩個Active Chip在垂直方向上堆疊則構成3D封裝。3D封裝可以大幅度減少封裝體的尺寸，除此之外，由於晶片之間通信的距離變小，可以降低功耗，提高性能。

由於不同的晶片通常來自不同的供應商，常規的晶片堆疊主要是通過引線鍵合來實現，晶片和晶片之間的互連通過基板佈線來實現連接。 另外一種就是通過倒裝TSV互連來實現，這種封裝集成密度最高，但TSV成本很高，通常用於高性能計算等領域，如Hynix的HBM產品，Micron的HMC產品等。晶片最薄可以達到20μm, 即使多層堆疊，整體厚度也不大。由於晶片和晶片之間直接連接，對應I/O需要在晶片端設計好，此類晶片通常都是由同一供應商提供的套片。