近年來，在人工智慧（AI）、5G 等推動下，以 MRAM （磁阻式隨機存取記憶體）、鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)、相變隨機存取記憶體（PRAM），以及可變電阻式隨機存取記憶體（RRAM）為代表的新興存儲技術逐漸成為市場熱點。這些新技術吸引各大晶圓廠不斷投入，最具代表性的廠商包括台積電、英特爾、三星和格芯（Globalfoundries）。

那麼，這些新興存儲技術為什麼會如此受期待呢？主要原因在於：隨著半導體製造技術持續朝更小的技術節點邁進，傳統的 DRAM 和 NAND Flash 面臨越來越嚴峻的微縮挑戰，DRAM 已接近微縮極限，而 NAND Flash 則朝 3D 方向轉型。

此外，傳統存儲技術在高速運算上也遭遇阻礙，處理器與記憶體之間的“牆”成為了提升運算速度和效率的最大障礙。特別是 AI 的發展，資料需求量暴增，“牆”的負面效應愈加突出，越來越多的半導體廠商正在加大對新興存儲技術的研發和投資力度，尋求成本更佳、速度更快、效能更好的存儲方案。

從目前來看，最受期待的就是 MRAM，各大廠商在它上面投入的力度也最大。MRAM 屬於非易失性存儲技術，是利用具有高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體，斷電時，MRAM 儲存的資料不會丟失，且耗能較低，讀寫速度快，可媲美 SRAM，比 Flash 速度快百倍，在存儲容量方面能替代 DRAM，且資料保存時間長，適合高性能應用。

MRAM 的基本結構是磁性隧道結，研發難度高，目前主要分為兩大類：傳統 MRAM 和 STT-MRAM，前者以磁場驅動，後者則採用自旋極化電流驅動。

另外，相較於 DRAM、SRAM 和 NAND Flash 等技術面臨的微縮困境，MRAM 可滿足制程進一步微縮需求。目前，DRAM 制程工藝節點為 1X nm，已接近極限，而 Flash 走到 20 nm 以下後，就朝 3D 制程轉型了。MRAM 制程則可推進至 10nm 以下。