2017 年，時任 Globalfoundries 首席技術官的 Gary Patton 稱，Globalfoundries 已經在其 22FDX （22nm 制程的 FD-SOI 工藝技術）制程中提供了 MRAM，同時也在研究另一種存儲技術。

由於 Globalfoundries 重點發展 FD-SOI 技術，特別是 22nm 制程的 FD-SOI，已經很成熟，所以該公司的新興存儲技術，特別是 MRAM，都是基於具有低功耗特性的 FD-SOI 技術展開的。

今年年初，Globalfoundries 宣佈基於 22nm FD-SOI 平臺的 eMRAM 投入生產。該 eMRAM 技術平臺可以實現將資料保持在-40°C 至+125°C 的溫度範圍內，壽命週期可以達到100,000，可以將資料保留 10 年。該公司表示，正在與多個客戶合作，計畫在 2020 年安排多次流片。

據悉，該公司的 eMRAM 旨在替代 NOR 快閃記憶體，可以定期通過更新或日誌記錄進行重寫。由於是基於磁阻原理，在寫入所需資料之前不需要擦除週期，大大提高了寫入速度，巨集容量從 4-48Mb 不等。