新儲存技術之諸神爭霸- Intel 英特爾

2020-08-13

    

英特爾也是 MRAM 技術的主要推動者,該公司採用的是基於 FinFET 技術的 22 nm 制程。

2018 年底,英特爾首次公開介紹了其 MRAM 的研究成果,推出了一款基於 22nm FinFET 制程的 STT-MRAM,當時,該公司稱,這是首款基於 FinFET 的 MRAM 產品,並表示已經具備該技術產品的量產能力。

    

由於市場需求愈加凸顯,且有各大晶圓廠大力投入支持,加快了以 MRAM 為代表的新興存儲技術的商業化進程。未來幾年,雖然 DRAM 和 NAND Flash 將繼續站穩存儲晶片市場主導地位,但隨著各家半導體大廠相繼投入發展,新興記憶體的成本將逐步下降,可進一步提升 MRAM 等技術的市場普及率。