憑藉高功率、高頻工作環境下的優良性能，氮化鎵（GaN）正在快速崛起，無論是在功率，還是射頻應用領域，GaN都代表著高功率和高性能應用場景的未來，將在很大程度上替代砷化鎵（GaAs）和LDMOS。

   
而在GaN外延片方面，主要有兩種襯底技術，分別是GaN-on-Si（矽基氮化鎵）和GaN-on-SiC（碳化矽基氮化鎵）。當然，除了以上這兩種主流技術外，還有GaN-on-sapphire，以及GaN-on-GaN技術。

   
雖然GaN-on-SiC性能相對較佳，但價格明顯高於GaN-on-Si。另外，GaN-on-Si生長速度較快，也較容易擴展到8英寸晶圓。雖然GaN-on-Si性能略遜於GaN-on-SiC，但目前工藝水準製造的器件已能達到 LDMOS 原始功率密度的5-8 倍，在高於2GHz的頻率工作時，成本與同等性能的LDMOS 出入不大。另外，矽基技術也將對CMOS工藝相容，使GaN器件與CMOS工藝器件集成在一塊晶片上。這些使得GaN-on-Si成為市場主流，而且主要應用於電力電子領域，未來有望大量導入5G基站的功率放大器 (PA)。

    
GaN-on-SiC則結合了SiC優異的導熱性和GaN的高功率密度和低損耗的能力，與Si相比，SiC是一種非常“耗散”的襯底，此基板上的器件可以在高電壓和高漏極電流下運行，結溫將隨射頻功率而緩慢升高，因此射頻性能更好，是射頻應用的合適材料。在相同的耗散條件下，SiC器件的可靠性和使用壽命更好。但是，受限於SiC襯底，目前仍然限制在4英寸與6英寸晶圓，8英寸的還沒有推廣。