與GaN-on-Si相比，GaN-on-SiC最大的劣勢就是成本，如果解決了這個問題，或使雙方的成本接近，則GaN-on-SiC的性能優勢就會凸顯出來。

   
歐洲在第三代半導體技術研究方面一直處於世界前列，時常會有突破性的技術出現。最近，瑞典的一家公司憑藉其GaN-on-SiC技術交付了6英寸晶圓。該公司首席技術官兼聯合創始人表示：“在目前的市場上，由於矽襯底價格便宜，且可以實現垂直集成，因此99％的GaN器件是GaN-on-Si。但是，GaN-on-Si的品質仍然存在很多缺陷，最大的問題是可靠性，這方面，GaN-on-SiC做得更好。我們使用了不同的生長方案來開發這項技術。GaN-on-Si必須生長5μm的厚度才能獲得良好的品質，但是其矽襯底有缺陷，而SiC層為2μm，現在，我們將其厚度降低到了200至250nm，這樣可以提高品質，減少缺陷。”

    
據悉，該公司是與Linköping大學和法國研究小組IEMN合作研究該外延技術的，這也是EU Horizon 2020專案的一部分，使用了具有有序空位的1nm原子中間層來適應第一外延層和襯底之間介面處的晶格失配。這使半絕緣SiC襯底上的300nm GaN層具有約2 MV / cm的橫向臨界擊穿場和超過3 kV的垂直擊穿電壓。該臨界擊穿場幾乎比傳統的厚緩衝法生長的矽上GaN外延晶片的擊穿場高三倍。這一突破可以顯著降低大功率器件的功耗。   

GaN-on-SiC也在朝著8英寸晶圓進軍，因為這是晶圓代工廠的主流，但就目前來看，8英寸的 SiC晶圓尚未廣泛使用。業界有一種說法，8英寸SiC將在兩年內成為標準的晶圓產品。

     
總之，對於射頻應用來說，GaN-on-SiC必須更薄，並為甚高頻設備提供更好的限制。而對於功率應用來說，瑞典這家公司給出的結構就足夠了，但依然需要在成本上努力，射頻的批量訂單將有助於降低基板成本。