目前，無論是生產GaN-on-Si，還是GaN-on-SiC，多家晶圓代工廠和IDM都有涉獵，且都是它們重點發展的物件。

     
晶圓代工方面，臺灣的企業一馬當先，GaN-on-S方面，台積電已經開始提供6英寸的晶圓代工服務。嘉晶6英寸GaN-on-Si外延片，已進入國際IDM廠認證階段，並爭取新訂單中，漢磊科則已量產6英寸GaN on Si產品，瞄準車用需求。

     
化合物半導體晶圓代工廠穩懋已開始提供6英寸的GaN-on-SiC代工服務，應用瞄準高功率 PA及天線；而環宇也擁有4英寸GaN-on-SiC高功率PA產能，且6英寸GaN-on-SiC晶圓代工產能已通過認證。

    
世界先進也在GaN材料上投資超過 4 年時間，持續與設備材料廠Kyma、及轉投資GaN矽基板廠Qromis 攜手合作，開發可做到8英寸的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST，今年可望有小量送樣，初期主要瞄準電源應用。

    
上周，中美晶宣佈入股宏捷科，雙方將合作加速開發GaN產品進程。宏捷科在砷化鎵晶圓代工領域擁有自主技術，近年來也積極開發GaN產品，且從砷化鎵到GaN-on-SiC制程轉換相對較快。

     
IDM方面，目前，國內外設計和生產GaN，特別是基站射頻器件的廠商大概有20幾家，並不算很多，有代表性的包括Qorvo、英飛淩、NXP、Cree、日本住友、ADI、MACOM，以及大陸地區的三安光電、海特高新（海威華芯）、蘇州能訊和英諾賽科等。

    
其中，Cree主要由其子公司Wolfspeed經營 RF 業務。2018 年，Cree收購了英飛淩的RF部門， 該部門主要設計製造LDMOS放大器，同時擁有GaN-SiC/Si器件生產能力。收購完成後，Cree成為了全球最大的GaN射頻器件供應商。Cree除為自家生產GaN射頻器件外，還向外提供GaN代工生產服務。

        
而Qorvo在GaAs的基礎上，進一步發展了GaN-on-SiC；MACOM則在早期看好GaN-ON-Si工藝，近兩年也開始發展GaN-on-SiC，如上周發佈了其新型GaN-on-SiC功率放大器產品線，名為MACOM PURE CARBIDE。該公司還推出了該產品線的前兩個新產品MAPC-A1000和MAPC-A1100。