在Intel、台積電各自推出自家的3D晶片封裝技術之後，三星也宣佈新一代3D晶片技術——X-Cube，基於TSV矽穿孔技術，可以將不同晶片搭積木一樣堆疊起來，目前已經可以用於7nm及5nm工藝。

關於3D晶片封裝，瞭解半導體晶片技術的玩家應該不陌生了，現有的晶片都是2D平面堆疊的，隨著晶片數量的增多，佔用的面積越來越大，不利於提高集成度。

3D封裝顧名思義，就是將晶片從平面堆疊變成了垂直堆疊，類似搭積木那樣一層層疊加，減少了晶片面積，提高了集成度。

台積電、Intel之前都公佈了3D封裝技術，技術風向大同小異，具體的實現方法不同，Intel的3D封裝叫做Foveros，已經在Lakefield晶片上應用，集成了10nm CPU、22nm IO核心。   

三星自家的3D封裝技術叫做X-Cube，基於TSV矽穿孔技術將不同晶片堆疊，已經可以將SRAM晶片堆疊到晶片上方，釋放了佔用空間，可以堆疊更多記憶體晶片。

此外，TSV技術還可以大幅縮短晶片之間的信號距離，提高了資料傳輸速度，降低了功耗，並且客戶還可以按需定制記憶體頻寬及密度。

目前三星的X-Cube技術已經可以用於7nm及5nm工藝，三星將繼續與全球無經驗半導體公司合作，將該技術部署在新一代高性能晶片中。

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