到 2021 年，由於混合動力和電動汽車，電源和光伏（PV）逆變器的需求，新興的碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場預計將突破 10 億美元。

根據 Omdia 的《 2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》，到 2020 年底，全球 SiC 和 GaN 功率半導體的銷售收入預計將從 2018 年的 5.71 億美元增至 8.54 億美元。未來十年的年均兩位數增長率，到 2029 年將超過 50 億美元。

這些長期的市場預測總額比本報告的去年版本低約 10 億美元。這是因為自 2018 年以來，幾乎所有應用的需求都在放緩。此外，設備平均價格在 2019 年有所下降。請注意：用於創建本年度預測的設備預測始於 2019 年，沒有考慮到 COVID-19 大流行的影響。

SiC 襯底晶圓供應市場正在緩慢增長，許多領先企業宣佈了產能擴張計畫，但晶圓價格下降得不夠快。但是，對市場領導者的競爭不足。值得注意的是，Cree （Wolfspeed）已宣佈與 Infineon Technologies，STMicroelectronics 和 ON Semiconductor 等設備生產商以及與 Delphi Technologies，Volkswagen Group 和 ZF Friedrichshafen AG 等汽車供應商的幾項長期供應協議。除了與 Cree （Wolfspeed）的協議外，意法半導體還透露了與 ROHM Semiconductor 旗下的 SiCrystal 的長期供應協議，並直接收購了晶圓供應商 Norstel Sweden。

在 GaN 基板晶圓供應市場中，2019 年最大的驚喜是 Power Integrations 在藍寶石 GaN 基板上仍處於隱身模式下生產 GaN 系統 IC。Power Integrations 於 2010 年收購了 Velox Semiconductor，並利用其藍寶石上的 GaN 研究和專有技術來創建其“ PowiGaN”技術。該公司通過在其第三代集成式 InnoSwitch 器件中將 GaN 開關與矽驅動器和保護 IC 共同封裝，向競爭對手採取了不同的方法。塊狀 GaN （或獨立式 GaN 或 GaN-on-GaN）晶片很小且非常昂貴，但是隨著新的中國供應商出現，包括 ETA Research，Sino Nitride 和 Nanowin 的價格下降。NexGen Power Systems 和 Odyssey Semiconductor 等獨立式 GaN 晶圓上的溝槽器件的新開發商已經出現。