晶片製造的難，就是難在不斷地向物理極限發起挑戰，而且你不知道這個物理極限到底在哪裡。

不同種類的晶片所面臨的物理極限的挑戰是不一樣的，我們來分類看一下。

先來看3D-NAND晶片。

NAND這個詞在外行的看來比較陌生，但實際上離我們並不遙遠，我們買的很多固態硬碟的核心存儲晶片，就是3D-NAND晶片。

3D NAND晶片結構示意圖，圖片來源：semiengineering.com

為什麼叫做3D NAND，因為原來的NAND的“小房子”只能蓋一層，是平面型的，故而稱作2D NAND，而3D NAND可以在垂直方向上疊加“小房子”，是一個立體的結構。

這些“小房子”是基於半導體製造幾大基本模組工藝批量製作的。每一個"小房子"的組成，是經過精確設計的導體/半導體/絕緣材料。 

3D NAND晶片的製造難度在於：在水準方向上，要解決增加圖案密度的問題，以增加存儲密度；在垂直方向上，又要解決高深寬比（HAR）刻蝕均勻性的問題。