經過G/W檢測後的晶圓板接著被送至後期工程。在後期工程中，首先是依IC的尺寸將經原版做縱、橫方向的切割，成為個別分離的晶片。由於晶片也被稱為「die」，故這種過程也有「成 die」之意；另外，一般也常使用「pellet」之詞，故也有撐微pelletize(造粒)的名稱。而從切割分離之意，也可稱為Scribing。

在切割晶圓板之前，首先削去晶圓版的裡面部分(裡面研削)使成更薄的晶圓板，若不經這一研削作業，則將因為厚度太厚而不易切割，且在製成IC之後矽基板的電阻可能太高等問題。

8吋晶圓板通常是將75μm的厚度研削至300μm左右。

完成裡面的研削之後，表面的黏貼一種經紫外線照射之後可以改變特性的特殊膠帶(UV Tape)，並將全體固定於框架上。然後以鑽石鋸，也就是表面黏貼鑽石微粒的圓型薄刃予以切割。鑽石鋸以能夠將投法切成三等分的精度予以切割。各晶片的四邊留有寬約100μm的切割線，由於在晶圓板的製造工程中已將切割線區預露出於矽基板上，故可沿該線加以切割。為使切割作業不致使IC內部造成缺陷，鑽石鋸所施加的壓力以及切割速度皆應受到控制。

切割後，使用特殊的工具拉出UV膠帶，被切割的晶片將被拉出少許的間隙，各個晶片也因此被分離，然後從膠帶的裡側照射紫外線(UV 光)，膠帶由於光化學反應而喪失黏著力，使晶片容易從膠帶剝落並進行以下的工程。最後則以顯微鏡觀察IC的外觀是否有缺陷或割痕等。若發現有缺現存在，便將該IC廢棄，同時也將G/W工程中已註明「不良」之晶片一併去除。經如此篩選後的IC晶片便被輸至下一工程中。