為因應高速傳輸需求，車用IC的封裝方式逐漸由BGA轉變為MCM/SiP/CSP。由於多晶片封裝整合了多種晶片及主被動零件/PCB，各種材質所組合出的複雜的熱膨脹係數(CTE)。且在溫度劇變的汽車應用環境下其封裝體及焊接點非常容易產生翹曲變形，進而產生可靠度問題，而且此一狀況不只出現在IC元件，電路板也都會遇到。
        
許多IC製程後期都會進行晶圓背面研磨(Wafer Backside Grinding)，使晶圓薄形化，以利後續晶圓切割及封裝製程。在晶圓背面研磨(Wafer Backside Grinding)此道製程上較容易發生，所謂的Wafer Warpage ，因為目前多複合性晶背材質上，對於每種金屬的延展性皆不一同，故高溫研磨後的變化更多。
         
例如在智慧卡(Smart Card)應用上，必須將晶圓厚度由600~700 μm研磨到小於180 μm，手機應用及穿戴裝置甚至到車用規格應用更有可能研磨到小於50 μm。由於晶背研磨會產生應力(Stress)和翹曲(Warpage)，如果晶圓應力過大，將會延伸到正面之元件區域造成毀損。

有別於傳統的蝕刻或研磨的方法解決晶圓翹曲，晶化科技獨家研發的晶圓翹曲調控膜提供最佳的解決方案，可以調控各種封裝後翹曲程度，以利後續RDL製程，安全可靠。

晶化科技-晶圓翹曲調控膜

晶片保護及晶圓扇出控制翹曲的最佳方案

Wafer protection and Fan-Out Warpage Control solution

https://www.waferchem.com.tw/warpage-control-film.html