傳統的方式為
在Wafer進行研磨->拋光->加做退火手法。也就是將Warpage Wafer 放進壓力烤箱中進行長時間烘烤,來達成釋放應力。因金屬材料的不同,也很難有效的使用同一烘烤參數來處理複合性背材。(烘烤時間從最短1~3小時,長則可達到36~48小時不等) 較浪費生產時間,且無法有效一至管理製程參數,成本上也相對高。
目前較新的製程方式
必須使用HF與HNO3混合液,進行矽濕式蝕刻製程,來消除晶圓應力及損傷層(Stress & Damaged Layer Removal)。
在Wafer進行研磨->拋光->加做退火手法。也就是將Warpage Wafer 放進壓力烤箱中進行長時間烘烤,來達成釋放應力。因金屬材料的不同,也很難有效的使用同一烘烤參數來處理複合性背材。(烘烤時間從最短1~3小時,長則可達到36~48小時不等) 較浪費生產時間,且無法有效一至管理製程參數,成本上也相對高。
目前較新的製程方式
必須使用HF與HNO3混合液,進行矽濕式蝕刻製程,來消除晶圓應力及損傷層(Stress & Damaged Layer Removal)。