台積電認為未來晶片性能的提升主要靠先進封裝。台積電在過去近十年相繼發展出了InFO、CoWoS等封裝技術並將其逐漸整合成3D Fabric先進封裝技術平臺。

2012年台積電與賽靈思一起推出了當時最大的FPGA，將四個相同的28nm晶片並排放在矽仲介層上，並為此開發出TSV（矽通孔）、RDL（再分佈層，re-distribution-layer）等技術，將其實現互連，並將該技術命名為CoWoS（Chip-on-Wafer-Substrate）。2017年台積電還推出InFO（Integrated Fan-out），使用polyamide film代替CoWoS中的矽仲介層，從而降低單位成本和封裝高度。CoWoS廣泛應於賽靈思、NVIDIA、AMD和華為海思等高端晶片上。

CoWoS是一種2.5D封裝技術，是先將晶片通過CoW（Chip on Wafer）的封裝過程連接至矽晶圓，再把CoW晶片與基板連接，整合成CoWoS。

InFO技術起源於FOWLP（Fan-out Wafer Level Packaging）扇出型晶圓級封裝。Fan-in即扇入型只能允許引腳的Solder ball在晶片表面下方，而Fan-out則可通過Epoxy澆鑄，允許引腳超過晶片，所以可以支援更多引腳，引腳密度更高。

第二是相比CoWoS，InFO的最大差別就是沒用基板，這就大大降低了封裝成本，畢竟基板要占到封裝成本的50%左右，再加上封裝尺寸可以做到更輕薄，更有利於散熱和降低功耗等，台積電早期的InFO技術就已經可以實現250微米的封裝厚度和10微米的RDL間距。基於InFO技術，台積電還相繼衍生出了InFO-Os、InFO-MS和InFO-PoP，可滿足不同需求的封裝要求。

台積電的下一代先進封裝技術是SoIC（System of Integrated Chips）積體電路系統，是從SoC演變而來，其技術核心是以關鍵的銅到銅結合結構，應用TSV工藝，將多個晶片粒以3D堆疊的方式集成在一起。目前台積電已經實現了12層堆疊。台積電強調SoIC技術不僅在能效上取得突破，而且也提供了延續摩爾定律的機會。