目前市面上常見的HDI板製造技術有以下幾種，

1.順序逐層積層法

該積層多層板含有芯板(Core), 在芯板兩面逐層積層。芯板積層工藝流程：

覆銅箔板→芯板→絕緣介質積層→導通孔形成→電路圖形 (重複積層和形成電路增加層數)→阻焊圖形與表面塗飾

2. 全導通孔積層法

積層多層板沒有芯板(Core), 全部由導通孔(Via)進行層間連接, 最後也沒有貫通孔。全導通孔互連順序積層多層板結構如圖3-2。導通孔內導體不同而有多種積層方法。

1) 導電膏連接 － 全導通孔積層法

ALIVH (Any Layer Inner Via Hole)積層多層印製板，半固化片上用CO2 雷射穿孔，孔中填充導電膏。

2) 凸點穿刺連接 － 全導通孔積層法

凸塊互連技術（B2 it：buried bump interconnection technology）印製板，是由導電膏突出點穿刺絕緣層實現層間互連。

3) 逐層堆疊孔電鍍互連 － 全導通孔積層法

FVSS(Free Via Stacked Up Structure)工藝, 是可以製作自由堆疊導通孔結構的積層板。FVSS積層板的製造工藝如圖3-3所示，採用雙面覆銅板，經過常規的雷射鑽孔、電鍍銅填孔和圖形轉移與蝕刻形成電路圖形，重複積層形成多層板。

4) ABF-SAP積層法

ABF (Ajinomoto Bond Film)為日商Ajinomoto公司商品，如干膜狀，厚度有8μm - 20μm。由真空貼膜後熱固化，成為絕緣介質層。特點為化學鍍銅結合力好，沉銅約1μm後圖形電鍍，再閃蝕(差分蝕刻)得到線路圖形。台灣晶化科技為國內首家自主研發生產國產增層材料TBF (Taiwan Build-Up Film)的廠商，可應用於SAP積層法，目前產品已通過國內外多家科技廠的驗證並已小量出貨。

5) 各向異性導電膜 (ACF)

各向異性導電膜 (ACF：Anisotropically Conductive Film) 是一種定於向Z軸方向導電的材料，用ACF接合兩個導體層而形成垂直方向電氣連接。

6) 電路轉移工藝

韓國三星電機公司（Samsung Electro-mechanics Co.）所開發的載體圖形轉移積層法, 稱為CTP (Circuit Transfer Process)

7) 線孔成形積層法

德國Amcore與Atotech公司合作Via2 技術。工藝步驟主要為：①在層壓板介質上雷射開孔與線槽，②化學鍍銅使板面金屬化，③電鍍銅填充凹槽，④磨削去除多餘銅後形成線路與導通孔，多次積層，成為多層板。 雷射開線槽寬度可小於10μm ，誤差±1μm，圖形定位精度2.5μm。