炒作第三代半導體?! 應該是第三類半導體

2021-10-04

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最近媒體上常常看到第三代半導體,通常所謂的第三代半導體就是指以碳化矽(SiC) 、氮化鎵( GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料,稱為第三代半導體材料,也稱化合物半導體或三五族半導體。通常用幾代幾代來區分的是前一代已經沒落,取而代之的是新的一代,然而第一代和第二代半導體還是持續發展,並沒有沒落的跡象,而且第三代半導體也不會取代前兩代,因此叫做第三類半導體才正確。

         

個人認為媒體把半導體按照不同材料劃代並大肆宣傳,對於國內缺乏科普、一知半解的廣大群眾而言,容易產生誤解,誤以為是反覆運算升級關係,高一代替代低一代。如果把各種半導體材料比作交通工具,那所謂的第一代半導體也就是矽材料,就猶如馬路上的機車,原材料就是遍地的沙子,優勢是價格便宜量又足,所謂的三代半導體如同汽車中的超跑,性能強勁,但價格昂貴,不是誰都買得起、也不是誰都用得上、更不是到處都能用,你讓法拉利去載貨試試,你讓勞斯萊斯當計程車試試。跑車再怎麼厲害也替代不了卡車、客車、機車的特性和用途。

       

所以,儘管市面上有了跑車,但保有數量最大的交通工具也還是機車。各種半導體材料都有各自的用武之地,不是替代關係,而是共存關係,各有所長,揚長避短。一味宣揚三代半導體,忽略其他半導體材料,就如同高喊“要啥機車”一樣,人人第三代半導體人人開超跑,不是媒體大炒作,就是被割韭菜。

             

到底什麼是第三類半導體呢?

          

通常所說的化合物半導體多指晶態無機化合物半導體,即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物,並具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質。包括晶態無機化合物(如III-V族、II-VI族化合物半導體)及其固溶體、非晶態無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。通常所說的化合物半導體多指晶態無機化合物半導體。主要是二元化合物如:砷化鎵、磷化銦、硫化鎘、碲化鉍、氧化亞銅等,其次是二元和多元化合物,如鎵鋁砷、銦鎵砷磷、磷砷化鎵、硒銦化銅及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多採用布裡奇曼法(由熔體生長單晶的一種方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法製備化合物半導體單晶,用外延法、化學氣相沉積法等製備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。用於製備光電子器件、超高速微電子器件和微波器件等方面。

      

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