（路透資料照）

目前，每台EUV設備都有超過 100,000 個零部件，它們需要40個貨運集裝箱或四架大型運輸飛機來搬運，每台價值約1.4億美元。

為了滿足不斷進化的先進制程，ASML正在研發更先進的EUV機台，主要體現在高NA上。

與目前的EUV設備相比，更高NA意味著更大、更昂貴且更複雜。高NA設備具有更高的解析度，這將使晶片特徵縮小1.7倍，晶片密度增加2.9倍。這可以使客戶減少流程步驟的數量，還可以顯著減少缺陷、成本和晶片生產週期。

新的EUV設備，其NA值將從0.33 提升至0.55，以實現更高解析度的圖案化。

據悉，第一台高NA設備仍在開發中，預計2023年開始提供搶先體驗，以便晶片製造商可以開始試驗並學習如何使用它。客戶可以在2024年將它們用於自己的研發，從2025 年開始，這些高NA的EUV設備有望用於晶片量產。

更高的NA值允許在機器內部產生更寬的EUV光束，然後再照射晶圓。該光束越寬，照射晶圓時的強度就越大，從而提高列印線條的準確度。這反過來又可以實現更小的幾何形狀和更小的間距，從而增加密度。

ASML的新設備將允許晶片製造商製造2nm及以下制程的晶片。

不過，高NA設備意味著高昂的價格，據悉，每台NA值為0.55的EUV設備價格將達到3 億美元，是現有EUV設備的兩倍，並且，它還需要複雜的新鏡頭技術。

目前，製造先進制程（如5nm、3nm）晶片的廠商不得不依賴雙重或三重圖案技術，這很耗時，而使用高NA EUV設備，他們能夠在單層中列印這些特徵，從而縮短周轉時間並提高製程靈活性。